Un equipo de investigación en China asegura haber desarrollado la memoria no volátil más rápida del mundo, con una velocidad de escritura de 400 ps, aunque le ha puesto un nombre curioso.
Se ha desarrollado una nueva memoria PoX que utiliza grafeno y que es capaz de realizar escrituras en tan solo 400 picosegundos.
Un grupo de investigadores en China ha logrado desarrollar un dispositivo de memoria semiconductor no volátil que, según se informa, es el más rápido hasta la fecha. Este innovador dispositivo, denominado "PoX" (Phase-change Oxide), logra una velocidad de escritura de un bit cada 400 picosegundos. Creado en la Universidad Fudan de Shanghái, el PoX utiliza un canal de grafeno bidimensional junto con una pila de atrapado de carga.
Este avance supera con creces los tiempos de acceso que se asocian habitualmente con las memorias volátiles como SRAM y DRAM, que suelen operar en el rango de 1 a 10 nanosegundos, siendo un picosegundo una milésima parte de un nanosegundo.
Las memorias volátiles ofrecen gran velocidad, pero pierden información cuando se corta la energía. Por otro lado, la memoria flash no volátil conserva los datos sin suministro eléctrico pero, en el nivel NAND, opera con latencias que pueden llegar a los microsegundos, lo que la hace menos adecuada para tareas que requieren baja latencia, como la inferencia en inteligencia artificial. El dispositivo PoX busca llenar este vacío al combinar almacenamiento persistente con alta velocidad.
La tecnología basada en grafeno utiliza un mecanismo de inyección de portadores calientes en dos dimensiones. Su estructura delgada mejora los campos eléctricos horizontales, aumentando la aceleración de portadores y la eficiencia de inyección. A una tensión de 5V, se lograron velocidades de escritura de 400 picosegundos, manteniendo su rendimiento a lo largo de 5.5 millones de ciclos. Las pruebas de retención a largo plazo han demostrado la estabilidad de los datos durante un periodo simulado de 10 años.
Zhou Peng, líder del equipo de investigación, expresó que la optimización de las condiciones de prueba mediante algoritmos de inteligencia artificial ha permitido significativas mejoras en esta innovación, lo que promete transformar el panorama global de tecnología de almacenamiento. Además, este avance es considerado un paso clave para que China lidere en este campo.
Liu Chunsen, otro del equipo, comentó que ya han creado un chip funcional y buscan integrarlo en dispositivos existentes. “El siguiente paso es incorporarlo en smartphones y computadoras actuales”, afirmó, destacando que esta integración eliminaría los cuellos de botella como la latencia y el calentamiento que provocan las tecnologías de almacenamiento convencionales.
